IGBT / MOSFET Process

IGBT- / MOSFET-Technologie 

Da heutzutage der Schwerpunbkt auf Umweltschutz und grüner Energie liegt, ist Nuvoton zutiefst davon überzeugt, dass eine Verbesserung der Systemleistung und die Erzeugung von starken Leistungskomponenten wichtiger denn je ist. Aus diesem Grund bieten wir eine Plattform für Hochspannungs-MOSFET- und IGBT-Verfahren. Diese Plattform zeichnet sich durch Deep Trench Gate, Handhabung dünner Wafer, 3mil Backside Grinding, Backside Imp und Backside Metal sowie weitere Technologien aus.

IGBTProcess

 

Kontaktaufnahme

本网站使用cookie作为与网站互动时识别浏览器之用,浏览本网站即表示您同意本网站对cookie的使用及相关隐私权政策
OK